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研究生:章賢亮
研究生(外文):Zhang, Xian-Liang
論文名稱:短通道金氧半場效電晶體臨界電壓之研究
指導教授:余水陽
指導教授(外文):Yu, Shui-Yang
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:68
語文別:中文
中文關鍵詞:短通道金氧半場效電晶體臨界電壓電子工程
外文關鍵詞:ELECTRONIC-ENGINEERING
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本文主要在探討閘極氧化層的厚度對短通道金氧半場效電晶體臨界電壓之影響,其中
發現,若仍欲用電容的觀念來簡單的表示出臨界電壓,則表示式中之電容值必需以一
修正值取代,此一修正值可以用簡單的實驗方法來得。此外,本文並討論到暗鬥座加
上反相偏壓對此電容值的影響。
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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