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本文提出一種新發展的DLPTS 技術, 它具有快捷, 消除雜訊的特色, 以週期性電暫態
有效地測量半導體元件中, 缺陷在禁帶造成之能階位置, 缺陷濃度以及有效捕捉面。
載子自缺陷能階之產射速率, 由符立爾(Fourier) 係數矗接求得, 因此DLPTS 技術只
須一次熱掃描, 即可缺陷能階求出, 與傳統式DLTS之多次熱掃描相較, 測試時間大量
縮短。同時DLPTS 對雙指數(Double Exponetial) 電容暫態波形, 具有良好之解析力
, 本文共分四章, 分述如下:
第一章—前言: 描述測試缺陷能階有關技術之沿革及改進, 同時提出DLPTS 之構想及
其優點。
第二章—原理: 首先將傳統式DLTS之主要概念予以闡釋, 然後針對此點發展出較便捷
之DLPTS 技術, 本章同時採公式之導引及結果, 做綜合之歸納。
第三章—實驗及結果: 本章實驗分成二部, 其一係以鋅、鎂雜子佈植於矽金—氧—後
分別以DL-PTS及DLTS技術分別測量金屬造成之能階。其二係以DLPTS 分解驗結果, 相
當吻合。
第四章—結論: 由實驗結果證明了DLPTS 技術之優越性。
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