光激閘流體（ LASCR ）的製造過程， 其中包括利用高臺式（ MESA ）及空乏區蝕
刻（ DEM ）以獲得較高的崩潰電壓的技術，已經於本文中發展完成。 目前所製得
的崩潰電壓已超過1000伏特。
對於 LASCR 的結構亦已設計成功，因此元件的 di ／ dt， dv ／ dt 特性以及光
靈敏度都有著良好的改進。
此外， 射極旁路的觀念亦被考慮於元件的設計，以期更增進元件的 dv dt 性能。
其他如深度擴散，元件表面處理，及二階段蝕刻法亦於本文中有著詳盡的研究，元
件藉此研究已可獲得良好的性能。
目前具有如下特性：di ／ dt ＞ 1.0A ／μsec， dv ／ dt ＞ 70V ／μsec，最
小激發功率＜ 4.5mw 的光激閘流體已經研究成功。
#2811301
#2811301
|