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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:趙振中
研究生(外文):Zhao, Zhen-Zhong
論文名稱:矽半導體在二氟化硼離子佈植後利用閃光燈作退火之研究
指導教授:呂助增
指導教授(外文):Lv, Zhu-Zeng
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:應用物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:69
語文別:中文
中文關鍵詞:矽半導體二氟化硼離子佈植閃光燈退火應用物理學物理學
外文關鍵詞:APPLIED-PHYSICSPHYSICS
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在本論文中,完成的半導體在二氟化硼離子佈植後利用閃光燈退火對植入雜質離子
之重新分佈和電性分析。同時討論了「熔解模型」,並分別求出熔解起始能量密度
,固液界面速度和再結晶速度等。片電阻和電流-電壓特性的量測確定了退火效用
。光學顯微鏡照片和電子顯微鏡的繞射圖形也顯示出閃光退火確實能夠除去由離子
植入後所造成的損傷。

#2810870

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