非晶形矽半導體(Amorphus Sihicon Semiconduetor)由於其製程簡單，成本低廉，無
論在教學研究或商業價值上都極具吸引和發展潛力，在某些功能和應用上甚且凌駕晶
形半導體。
非晶形矽半導體之主要發展潛力是其一些光電特性的研究與應用，然其光電特性又深
受其組織結構(Compositional strwture)的影響。由於非晶形材料之一主要特色即其
結構組成排列無晶形材料般的長程次序(long range order)，故其結構較紊亂，並且
其由聚合作用或分解作用所形成之組態度受製程狀況(prepare condition) 如溫度、
壓力等很大的影響，故欲研究在各種狀況下，所成長之非晶形矽和其他少量氣體所形
成的組態，並探討何種具有最佳的光電特性。