本論文研究以垂直冷管式低壓的有機金屬化學氣相磊昌法成本質及摻雜的砷化錠磊晶
膜。用三乙鎵為鎵之來源氫化砷為砷之來源。氫化硒及二乙基鋅分別做為負型及正型
摻雜質。隨著摩爾比的改變，磊晶膜可為正型或負型、電子浀度亦跟著改變。用紅外
線光譜儀檢查生長完後沈積在石英管反應器下游處之沈積物波數在580cm-1之Ga-C 搖
擺頻率800cm-1之CH3搖擺頻率仍然存在，顯示三乙基鎵在氣目中並宋完全分解，磊晶
生長由表面異質反應所控制。所生長未摻雜之最佳負型磊晶膜，其室溫可動率為600
cm2 Sev-1V-1 ，未摻雜最氐載子浀度小於10-5cm-3。再用X 光反射勞厄法，電流一
電壓特性，電容一電壓特性測試摻雜磊晶膜。未摻雜砷化鎵磊晶膜正／負導電型之轉
變和ELZ 之效應有類似之處，被認為具有同一根源，在此提出一有力模式可同時解釋
這兩種效應。這模式之反應式為ASAS+VGa-+P-ASGa+++Vys+3N°並在負型基板成長正
型薄膜作成P-N 接面，並研究其特性。