本實驗以液態磊晶成長的階差冷卻和超冷卻技術分別在InP 基板上成長四元的InGaAs
P 和二元的InP 薄膜。由X 射線繞射得知，對一定組成的四元薄膜，在不同溫度成長
下，所產生格子匹配情形，而發現△T=10℃是最佳成長條件之一，自掃描電子顯微鏡
(SEM) 測試，計算出組成為In0.75Ga0.25AS0.56P0.44 ，正如所預期的，其對應的，
其對應的波長為1.3μm，可由光學穿透測式得到證明。成長速率，成長層的表面及In
GaAsP-InP /InP ,/ InP 和InGaAsP/InP /InP的元素分布情形亦由SEM 求得。由X 射
線勞厄反射法及穿透電子顯微鏡(IEM) 測試，證明四元成長層為一良好之單晶。
電特性方面，InGaAsP 薄膜於室溫下之移動率及載子濃度分別為3200cm2/V-sec 及1.
76×106cm-3 ，而InP 薄膜則為2330 cm2 /V sec 及8.94×1016cm-3。亦求得對InGa
AsP 成長層所加入n 型及P 型雜質的特性。最後測出InGaAsP-InP 異質接合，Ni-InG
aAsP蕭特基接觸及P-InGaAsP/n-InP/n-InP 的P-n 接合之電流和電壓的特性。