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研究生:吳孟奇
研究生(外文):Wu, Meng-Qi
論文名稱:以液態磊晶成長InGaAsP和InP薄膜及特性研究
指導教授:張俊彥方炎坤方炎坤引用關係
指導教授(外文):Zhang, Zun-YanFang, Yan-Kun
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:71
語文別:中文
中文關鍵詞:液能磊晶成長薄膜階差冷卻超冷卻技術X 射線勞厄反射法蕭特基接觸電機工程
外文關鍵詞:InGaAsPInPELECTRICAL-ENGINEERING
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本實驗以液態磊晶成長的階差冷卻和超冷卻技術分別在InP 基板上成長四元的InGaAs
P 和二元的InP 薄膜。由X 射線繞射得知,對一定組成的四元薄膜,在不同溫度成長
下,所產生格子匹配情形,而發現△T=10℃是最佳成長條件之一,自掃描電子顯微鏡
(SEM) 測試,計算出組成為In0.75Ga0.25AS0.56P0.44 ,正如所預期的,其對應的,
其對應的波長為1.3μm,可由光學穿透測式得到證明。成長速率,成長層的表面及In
GaAsP-InP /InP ,/ InP 和InGaAsP/InP /InP的元素分布情形亦由SEM 求得。由X 射
線勞厄反射法及穿透電子顯微鏡(IEM) 測試,證明四元成長層為一良好之單晶。
電特性方面,InGaAsP 薄膜於室溫下之移動率及載子濃度分別為3200cm2/V-sec 及1.
76×106cm-3 ,而InP 薄膜則為2330 cm2 /V sec 及8.94×1016cm-3。亦求得對InGa
AsP 成長層所加入n 型及P 型雜質的特性。最後測出InGaAsP-InP 異質接合,Ni-InG
aAsP蕭特基接觸及P-InGaAsP/n-InP/n-InP 的P-n 接合之電流和電壓的特性。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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