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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:石志清
研究生(外文):Shi, Zhi-Qing
論文名稱:複矽晶電阻器在積體電路備用技術中電阻值變化過程之研究
指導教授:盧志遠盧志遠引用關係
指導教授(外文):Lu, Zhi-Yuan
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:71
語文別:中文
中文關鍵詞:複矽晶電阻器電阻器積體電路電阻值低壓化學氣相沈積化學氣相沈積法氣相沈積法離子佈植法電子工程
外文關鍵詞:ELECTRONIC-ENGINEERING
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近年來,複矽晶電阻器已被廣泛的使用在積體電路中作為備用之技術,以提高產品的
成功率及降低成本。但是,複矽晶膜的厚度及雜質濃度對於複矽晶電阻器的電阻值轉
換特性究竟有何影響,至今未曾被深入探討。
吾人以低壓化學氣相沈積方法來製造的複矽晶電阻器,然後以離子佈植法植入硼或砷
。電阻器有各種長度、雜質濃度及厚度(0.1∼0.2微米)之變化。
本文我們將描述複矽晶電阻器的電阻值的變化過程,以及因不同的長度、厚度、雜質
濃度對電阻值轉換特性的影響。根據這些研究,我們希望對於轉換機構的物理有進一
步的了解。

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