臺灣博碩士論文加值系統

本文針對半導體元件發展出一維的數值分析程式，此程式明確地陳述如何解蕭克萊半
導體方程，這些方程包括：電子及電洞的傳渡方程式，連續方程式及帕松方程式；而
且以電洞的準費米電位及空乏電位為變數。在模擬電學特性時把與濃度及電場相關的
移動率、高濃度時產生的能隙縮小和多陷阱復合均考慮在內。本文將呈現正負接面的
內部分佈、電容一電壓特性、電流一電壓特性以及暫電態流與斷路電壓衰減等結果，
並且特別討論電學特性受陷阱濃度之影響。