本文乃是利用低壓化相沈積系統並由電漿輔助的方式來製非晶型的矽氫薄膜從實驗的
果顯示，長出的膜的厚度並不夠厚(最厚者約5000A°) 。同時由紅外線的吸收光譜看
出這些成長出來的薄膜含有氫的存在，但是都以SiH2或(SiH)n的型式存在。經由數據
的分析，基片的溫度，反應腔的壓力，以基片的置放位置，源氣體和稀釋氣體的比例
，均會影響到薄膜的成長和品質，溫度（基片）低或反應壓力太高容易形成SiH2或(S
iH)n而且在低溫的基片上也不易長出厚的薄膜。靠近又應氣體入口的基片長出較厚而
且比較均勻之薄膜。