本文發展出擴散分佈高摻雜半導體中少數載體注入之解析模型，其中等效能隙縮減、
SRH 結合、Auger 結合、表面結合及位置相關擴散系數等高摻雜效應均考慮在內、此
模型係根據高摻雜半導體中少數載體傳輸之結合主導及電場主導兩極端特質而發展。
數值結果顯示，此模型與二階微分方程式之數值結果比較，在各方面皆可適當地模擬
少數載體注入現象。
同時，本文將此模型應用於高低接面之等效表面結合速率及背面電場太陽電池之暗飽
各電流等分析上，並詳細探討數項重要元件參數，以協瞭解元件物理、推導元件設計
準則及尋找最佳元件設計。
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