半導體的能帶結構為大多數電子性質之基礎。因此，我們對能帶結構的知識愈多，就
愈能對電子設計的操作原理靈活應用。
利用調制光譜的技術，可測得半導體的電子能帶結構。波長調制反射光譜為反射光譜
的微分，它不需要在半導體的表面做微擾，又由於它的高靈敏度及良好的鑑別功能，
半導體能隙的大小，可從調制光譜中直接讀出，因此它為研究半導體能帶結構最有效
和最快速的方法。
三元半導體的物理性質具有較多的變化和較大的彈性，它可以取化矽、鍺及二元半導
體所不能達成之應用。最近黃銅礦型半導體已被考慮用於光電材料上，而這些材料做
成之電池具有甚佳之穩定性。硫銦化銅即是三元黃銅礦型半導體之一，它為直接能隙
半導體，其能隙大小為１．５４５ｅｖ，是做太陽電池的良好材料之一。
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