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研究生:徐慧蘭
研究生(外文):Xu, Hui-Lan
論文名稱:無晶形矽氫合金的能帶分析局佈狀態在無晶形矽分佈研究
指導教授:葉鳳生
指導教授(外文):Ye, Feng-Sheng
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:71
語文別:中文
中文關鍵詞:無晶形矽氫合金能帶分析局佈狀態二極體COWLEY理論電機工程
外文關鍵詞:DLTSSCHOTTKYCOWLEY-THEORYELECTRICAL-ENGINEERING
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此篇論文係以DLTS 的方法,探討非晶形矽氫合金的能帶間隙中陷阱的分佈與之多憂
的情形,由於非晶形矽的製造方法與所用材料的不同,我們認為能帶間隙的陷阱分佈
會之影響。由實驗中,我們可以看出導電係數大者,應該有較淺的能階,也就是指有
導電雜質的存在;同時也表示能帶間隙中,陷阱能階很少。這些物理上的特性,我們
均可由此法直接量測出來。
而在做DLTS 測量時,我們需要一個很不對稱的「界面」,因此我們利用此種薄膜鍍上
一層金屬(Pd) 使之成一Schottky 二極體。對此種元件,我亦做了一些特性測量包括
電流對電壓的變化,電容與電壓的關係……等。並且由這些測量,我們發覺電容值與
自由電子的量會隨溫度之增加而增加,以cowley 的理論,我們做了一連串實驗,證
明這是來自於薄膜與金屬間有一層極薄的「中間層」存在所造成的結果。

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