此篇論文係以DLTS 的方法，探討非晶形矽氫合金的能帶間隙中陷阱的分佈與之多憂
的情形，由於非晶形矽的製造方法與所用材料的不同，我們認為能帶間隙的陷阱分佈
會之影響。由實驗中，我們可以看出導電係數大者，應該有較淺的能階，也就是指有
導電雜質的存在；同時也表示能帶間隙中，陷阱能階很少。這些物理上的特性，我們
均可由此法直接量測出來。
而在做DLTS 測量時，我們需要一個很不對稱的「界面」，因此我們利用此種薄膜鍍上
一層金屬(Pd) 使之成一Schottky 二極體。對此種元件，我亦做了一些特性測量包括
電流對電壓的變化，電容與電壓的關係……等。並且由這些測量，我們發覺電容值與
自由電子的量會隨溫度之增加而增加，以cowley 的理論，我們做了一連串實驗，證
明這是來自於薄膜與金屬間有一層極薄的「中間層」存在所造成的結果。