本研究的目的，在於建立一套成長鋁砷化鎵磊晶膜的程序及測定成長之晶膜的特性，
以作為製造異質結構元件，尤其是雷射二極體的準據。
研究期間，偶有疑難，隨即與老師先進討論，並參考國內外發表文章，是以困難迎刃
而解。
鋁砷化鎵之成長，是以液態磊晶術為方法，初製之液態磊晶術多有暇疵，經過數度的
嘗試與修改，目前如鏡面般的單磊晶層和平坦，均勻之多層磊晶膜可複製成功。
對於成長晶膜特性之測定，亦同時進行，鋁砷化鎵晶膜之組成以電子微探為工具測量
結果與理論值多有吻合，厚度測定以電子顯微鏡觀察結果為依據，結果說明厚度控制
穩定，載體濃度之測定分為二方面，一為以凡得保（Van der Pauw）測量另一為電容
一電壓特性曲線求得，在已測的數據上亦顯示在定性上相當合理。
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