資料載入處理中...
:::
網站導覽
|
首頁
|
關於本站
|
聯絡我們
|
國圖首頁
|
常見問題
|
操作說明
English
|
FB 專頁
|
Mobile
免費會員
登入
|
註冊
切換版面粉紅色
切換版面綠色
切換版面橘色
切換版面淡藍色
切換版面黃色
切換版面藍色
(3.232.129.123) 您好!臺灣時間:2021/02/26 21:07
字體大小:
字級大小SCRIPT,如您的瀏覽器不支援,IE6請利用鍵盤按住ALT鍵 + V → X → (G)最大(L)較大(M)中(S)較小(A)小,來選擇適合您的文字大小,如為IE7或Firefoxy瀏覽器則可利用鍵盤 Ctrl + (+)放大 (-)縮小來改變字型大小。
字體大小變更功能,需開啟瀏覽器的JAVASCRIPT功能
詳目顯示
:::
recordfocus
第 1 筆 / 共 1 筆
/1
頁
論文基本資料
摘要
QR Code
本論文永久網址
:
複製永久網址
Twitter
研究生:
林錦懿
研究生(外文):
Lin, Jin-Yi
論文名稱:
金屬-矽蕭特基能二極體之數值研究
指導教授:
郭雙發
指導教授(外文):
Guo, Shuang-Fa
學位類別:
碩士
校院名稱:
大同大學
系所名稱:
電機工程研究所
學門:
工程學門
學類:
電資工程學類
論文種類:
學術論文
畢業學年度:
71
語文別:
中文
中文關鍵詞:
金屬-矽
、
蕭特基能
、
二極體
、
數值分析程式
、
電流-電壓特性
、
熱發射理論
、
帕松方程式
、
電機工程
外文關鍵詞:
ELECTRICAL-ENGINEERING
相關次數:
被引用:0
點閱:177
評分:
下載:0
書目收藏:0
為了清楚地瞭解金屬一矽蕭特基能障二極體的接面特性,本文特地發展一套由電子和
電和電洞擴散方程式及帕松方程式所構成的數值分析程式。將電子和電洞之熱發射理
論視為庫續方程式在接面的邊界條件,而解出電流一電壓特性。以金屬工作函數,矽
的電子親和力,介層參數及表面狀態密度做為高斯函數。相當散亂的能障高度測量值
,甚不理想正向電流一電壓特性,以及金屬一矽化物一矽蕭特基能障二極體反向電流
一電壓的軟化現象均能以表面狀態密度及介層電容來模擬而無需假設像力效應。
推文
當script無法執行時可按︰
推文
網路書籤
當script無法執行時可按︰
網路書籤
推薦
當script無法執行時可按︰
推薦
評分
當script無法執行時可按︰
評分
引用網址
當script無法執行時可按︰
引用網址
轉寄
當script無法執行時可按︰
轉寄
top
相關論文
相關期刊
熱門點閱論文
1.
砷化鎵蕭基接面元件之模擬研究
2.
在矽基板上進行磷化銦鎵紅色發光二極體之研製
3.
附加介質之旋轉對稱形天線--理論分析與實驗測試
4.
無晶形矽氫合金的能帶分析局佈狀態在無晶形矽分佈研究
5.
靜態隨機出入記憶細胞之設計及製造
6.
以塗佈法製作發光二極體
7.
液相磊晶成長砷化鎵及變容二極體之研製
8.
以DLTS研究非晶質矽-氫薄膜元件
9.
矽穿透崩潰型光檢測器之研究
無相關期刊
1.
蕭特基元件漏電流機制之分析
2.
溝渠式金氧半蕭特基整流器之特性研究
3.
蕭特基金氧半電晶體之設計及應用
4.
新型氮化鎵蕭特基二極體之製作與特性分析
5.
鉑/鎳鉻合金/矽及鉑/鎳鈦合金/矽蕭特基二極體特性之研究
6.
矽基板偏壓對氮化鋁鎵/氮化鎵蕭特基二極體之電性影響
7.
決定高效能蕭特基金氧半場效應電晶體傳輸參數的新實驗方法
8.
具掺雜隔離層與雙功函數閘極之蕭特基電晶體研究
9.
矽化鎳蕭特基接面與蕭特基電晶體之研究
10.
應用層級分析法與資料包絡法於供應商評估研究-以生產蕭特基二極體之M公司的磊晶圓為例
11.
玻璃基板上雷射低溫成長多晶矽薄膜之金屬-絕緣層-半導體蕭特基二極體式低成本高感度高速氫氣感測器的研製
12.
氮化鎵高電壓蕭特基二極體之製作
13.
使用基板溝槽抑制漏電流之矽基氮化鎵蕭特基二極體與高電子遷移率電晶體
14.
碳化矽蕭特基二極體特性研究
15.
矽基與矽鍺基發光、信號驅動以及檢光積體電路之設計與實現
簡易查詢
|
進階查詢
|
熱門排行
|
我的研究室