本研究是以液相疊晶生長法，在半絕緣的基底上生長紅光橫向接面條狀雷射二極體。
動作層是Ａｌ .Ｇａ .Ａｓ，在２９７°Ｋ下其能隙為１．７４ｅｖ，發光
波長為７１２５Ａ的紅光，動作層兩邊的覆蓋層是由Ａｌ .Ｇａ .所構成，
本雷射所生長之晶膜層均為Ｎ型材料，利用擴散鋅以形成不同於一般半導體雷射的橫
向ｐ－ｎ接面，並制用鋅在ＧａＡｓ及Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ中散速率之差異，以最上
層ＧａＡｓ作為鋅擴散的保護罩。擴散過程及對ＧａＡｓ／Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ間的
選擇性腐蝕，在本研究中圴有詳細的探討。
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