本文利用金屬有機物低壓氣相法(LPMOCVD) 成長砷化鎵磊晶。所用的原料為氫化砷(1
%in H2) ，三乙基鎵和未摻雜的砷化錠基板。磊晶膜的表面形態隨著AsH3/TEC莫耳比
而有所變化。AsH3/TEG=14.5 時磊晶膜表面最為光亮，缺陷很少，只有少數的hilloc
k 出現，而hillock 的密度和大小會隨著AsH3/TEG莫取比的增加而增加，當AsH3/TEG
>20 時會出現砷化錠鬚晶。
本實驗的成長機構是一種質傳控制機構，成長速率的快慢取決於三乙基鎵分子的擴散
速率。高溫成長時(>820℃)很可能發生均質孕核，使得成長速率下降。
未摻雜砷化鎵磊晶膜取低電子濃度約1.4×1016(cm-3) ，電子移動率3500cm2/v-sec
。電子濃度隨著AsH3/TEG增加而增加，補償比(Na/ND) 反而下降。由PL光譜分析結果
顯示是由於SiGa(ND)和CAS(NA) 所造成的。本實驗所成長的砷化錠磊晶膜其背景施體
雜質很高，主要來源可能是三乙基鎵。
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