使用區域性氧化以及複晶矽閘極等的3.5 微米互補式金氧半積體電路已經成功地交通
大學半導體研究中心開發出來。此積體電路為P 型井區結構，井區接面深度為6 微米
，閘極的氧化層厚度為630 埃，P 型及N 型金氧半場效電晶體之源極接面深度皆為0.
7微米。
我們在實驗室中開發完成了一種新的單層光阻金屬舉掀法。使用這種方法可以製作出
線寬3 微米以下，厚達1.7 微米的金屬線條，實驗證實這種方法極有可能成為將來超
大型積體電路的金屬化技術。
所製造出來的Ｎ型金氧半場效電晶體之臨限電壓為２．５５伏特，即使有效通道長度
小至０．７４３微米時，仍然沒有明顯的短通道效應發生。Ｐ型金氧半場效電晶體的
臨限電壓為－３．３伏特，但是在有效通道長度小於２．１微米時，此臨限電壓會逐
漸降低。在傳導通道中不使用高能量硼離子佈植的情況下，次臨限電流的斜率為２０
０毫伏／每十倍增量。
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