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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:楊中明
研究生(外文):YANG, ZHONG-MING
論文名稱:高週波加熱式低缺陷密度矽之磊晶生長
論文名稱(外文):A study on low defect density RF-heated epitaxial silicon
指導教授:熊慎幹
指導教授(外文):XIONG, SHEN-GAN
學位類別:碩士
校院名稱:中原大學
系所名稱:應用物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1986
畢業學年度:74
語文別:中文
中文關鍵詞:高週波加熱密度磊晶生長
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以自製實驗室型高週波加熱水平式的磊晶系統,研究如何去除或減低磊晶層的缺陷。
獲知石墨感熱體對矽磊晶層的缺陷密度,扮演一個十分重要的角色。並發現一種簡單
而有效的新方法,以解決摺痕與差排缺陷(1)的問題。在石墨感熱體上車裂平底圓
形凹槽,並在凹槽內添加一墊片,介於石墨感熱體與欲作磊晶生長之晶片間。當反應
室升溫至磊晶生長溫度時,此墊片由於熱應力而自動調整其曲率半徑,減低熱流通過
釸基片中心部份,而使矽基片上的徑向溫度降至最小(2),而達到零摺痕與零差排
之矽磊晶生長。至於降低矽磊晶層內的堆積缺陷(3)與碟狀坑的缺陷密度,可從石
墨感熱體的幾何結構與表面處理上獲得改善。控制摻雜氣體之分壓(4),便可週到
調整磊晶層載子濃度變化的目的。
(1)J. BLOEM AND A.H. GOEMANS, J. APPL. PHYS., 43, 1281(1972).
(2)M. ROBINSON, C.C. CHANG, R.B. MARCUS, AND G.A. ROZGONY., J. ELECTROC
HEM. SOC., 129, 2858(1982).
(3)T.L. CHU AND J.R. GAVALER, J. ELECTROCHEM. SOC., 110, 338(1963)>
(4)P.R. CHOUDHYRY AND E.I. SALKOVITE, J. CRYSTAL GROWTH, 7, 361(1970)

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