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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:林鋐仁
研究生(外文):LIN, HONG-REN
論文名稱:金氧半場效電晶體的熱載子效應
論文名稱(外文):Hot-carrier effects in MOS transistors
指導教授:張俊彥
指導教授(外文):ZHANG, JUN-YAN
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1986
畢業學年度:74
語文別:中文
中文關鍵詞:金氧半場效電晶體電晶體熱載子效應基體電流電流
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本文探討一些熱載子電流的物理模式及其對元件特性與可靠度的影響。觀念中強調通
道電場強度是所有熱載子效應的根源。有一簡單的方法可獲知元件參數和偏壓情況與
通道電場強度之間的關係。從一些實驗的結果,吾人認為元件退化主要是由於局部衍
生的界面狀態所引起的。基體電流則可視為元件壽命一個很有效的指標。文中提出一
經驗模式來預測元件的使用期限,並描述了一些因基體電流所引起的崩潰機制。平滑
汲極結構可降低電場強度及基體電流,經過適當的設計後,可提高汲極崩潰電壓並減

元件的退化程度。

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