近年來發展了一種新的金氧半場效電晶體參數擷取法，此種方法使用最佳化技巧。此
法有其優點和所用模型無關且與實驗結果匹配良好。數種適合金氧半場交電晶體參數
擷取之最佳化演算法已由多位作者提出。但他們有的略缺乏效率有的不能穩定收歛，
皆各有其短處。
本論文提出另一個演算法，由modified Gauss和simplex 二法適當組合而成。理論上
此組合較他法為佳。
本論文將擷取測試區中一個金氧半場效電晶體之整套SPICE 2C level-3參數。直流部
分只須電流一偏壓之資料，交流電容部分，本論文提出一新方法，只需使用Picoam P
meter 便可求出所需接面電容一反向端電壓之資料，而不必使用電容量計。
整個擷取過程的核心是已建於UAX-11/780上之一個最佳化副程式，其文章和健全與否
仍需更進一步之驗證。
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