以電解質電反射的方法研究氧化銦錫薄膜之特性，發現與其他半導體（例如矽、砷化
鎵）不同的結果，在大約３．８eV有一個寬大的峰。另外並測試電言質電穿透光譜也
在３．８eV附近發現一個峰，但另有兩個小的峰出現在上面，據猜測是由氧化銦錫中
的雜質能帶所引起的分裂。同一氧化銦錫樣品的反射光譜在電解電反射光譜出現峰值
的光波長有一個極小道。論文中並討論氧化銦錫薄膜樣品之介電常數改變量與光學特
性的關係。