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添加Nb,Ba的TiO陶瓷體經由一次燒成，可成為晶界偏析形式的高介電性電容，介電
常數高達105 （大約為TiO2單晶的1,000 倍），介電損失∼0.02。
TiO陶瓷中添加Nb及Ba後，其介電性質受電子跳躍（electron hopping）機構所控
制。電子藉由氧空缺在Ti和Ti晶格間相互跳躍。本實驗分別研究了六個變數
⑴燒結
溫度⑵Ba添加量⑶Nb添加量⑷低溫熱處理⑸燒結氣氛⑹粉末製程。由這些變數造成的
電性、微結構、Ｘ光繞射的第二相資料的變化，可以直接和間接得知，氧空缺、傳導
電子和溶質分佈直接影響電性的變化。而本論文並提出氧空缺模型、缺陷化學和偏析
理論反覆地加以印證與推理。
不同燒結溫度，造成不同的電性變化，影響電性的因素是氧空缺濃度和缺陷、溶質的
分佈。Ba的添加量增加使電子跳躍的共振頻率漸漸移向高頻，並且增加介電常數和介
電損失對頻率的穩定性。Nb添加量增加，則共振頻率移向低頻，並且促進Ba在TiO
的溶解量。低溫熱處理對電性的影響隨著溶解於TiO中Ba含量的增加而態見顯著。
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