藉著電子顯微鏡的技術,我們探討在電子槍蒸鍍鉑薄膜時,改變矽基底的溫度,而對 鉑與矽晶界面反應的影響。 由於在蒸鍍時,改變基底的溫度,會造成各鉑矽化物的形成活化能有不同的改變,因 而使得最初形成的中間產物有所改變。我們發現在高溫蒸鍍時(大約500 ℃)鉑會馬 上與矽基底反應,形成一片具有強烈優選方向的高溫相雙鉑化矽(β-PTSi)單晶, 其和矽基底間的方向關係是:(0001)β-PTSi/(111)Si2〔1100〕]-PTSi/ 〔011〕Si。隨著在蒸鍍時矽基底溫度的降低,低溫相雙鉑化矽(α-PTSi)逐漸取 代高溫相成為最初形成的中間相。 試片蒸鍍後,置於氮氣氛中,在300∼900℃回火不同的時間,我們發現最後的穩定相 均是矽化鉑,其和高溫相雙鉑化矽與矽基底間,維持著一定的方向性。 (010)PTSi/β-PTSi(0001)/Si(111) 〔002〕PTSi/β-PTSi〔1100〕/Si〔100〕 ,但如果矽化鉑的厚度太大時(大約400 A左右 ),其很難再維持這優選的方向了。 在整個反應過程中,氧污染的問題,將會影響到最終反應是否完全。
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