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研究生:張立蒂
研究生(外文):ZHANG, LI-DI
論文名稱:高溫蒸鍍鉑薄膜在矽(111)面上反應之研究
指導教授:陳建瑞陳建瑞引用關係
指導教授(外文):CHEN, JIAN-RUI
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學工程研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:74
語文別:中文
中文關鍵詞:蒸鍍薄膜矽化鉑
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藉著電子顯微鏡的技術,我們探討在電子槍蒸鍍鉑薄膜時,改變矽基底的溫度,而對
鉑與矽晶界面反應的影響。
由於在蒸鍍時,改變基底的溫度,會造成各鉑矽化物的形成活化能有不同的改變,因
而使得最初形成的中間產物有所改變。我們發現在高溫蒸鍍時(大約500 ℃)鉑會馬
上與矽基底反應,形成一片具有強烈優選方向的高溫相雙鉑化矽(β-PTSi)單晶,
其和矽基底間的方向關係是:(0001)β-PTSi/(111)Si2〔1100〕]-PTSi/
〔011〕Si。隨著在蒸鍍時矽基底溫度的降低,低溫相雙鉑化矽(α-PTSi)逐漸取
代高溫相成為最初形成的中間相。
試片蒸鍍後,置於氮氣氛中,在300∼900℃回火不同的時間,我們發現最後的穩定相
均是矽化鉑,其和高溫相雙鉑化矽與矽基底間,維持著一定的方向性。
(010)PTSi/β-PTSi(0001)/Si(111)
〔002〕PTSi/β-PTSi〔1100〕/Si〔100〕
,但如果矽化鉑的厚度太大時(大約400 A左右 ),其很難再維持這優選的方向了。
在整個反應過程中,氧污染的問題,將會影響到最終反應是否完全。

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