實驗中，把氧離子及氖離子利用離子佈植的方法，植入含有矽雜質的砷化鎵中，希望
了解被佈植雜質的砷化鎵，它的載子是如何被補償掉，而補償的作用是離子佈植時破
壞效應，或者是氧的化學結構效應。
實驗結果顯示，氧離子怖植層其補償載子的效應在高溫時，還是非常具有高溫穩定性
，而氖離子佈植層卻退化掉，氧在砷化鎵中，以二種狀態存在，一是佔據砷的價鍵，
是一種深能階電子捐雜質，另一種乃是存在於空隙的氧，這種氧原子先吸收一個電子
形成帶負電的氧離子，而此氧離子再和帶正電的矽在鎵位置結構形成極性的配對結構
，而這個配對結構賄電洞捐的能力。氧在砷位置的濃度只有1016立方和補償掉載子數
量1016立方不能相比，所以氧植入的帶矽雜質砷化鎵，其補償作用乃是氧原子和矽雜
質位於鎵位置形成中性或帶負電的極性配對結構來補償掉作用的雜質。
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