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研究生:高慧玲
研究生(外文):Gao, Hui-Ling
論文名稱:高功率砷化鎵元件之矽化鉬閘之研究
指導教授:林敏雄林敏雄引用關係
指導教授(外文):Lin, Min-Xiong
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:74
語文別:中文
中文關鍵詞:砷化鎵矽化鉬半導體金屬半場效電晶體電晶體電機工程
外文關鍵詞:ELECTRICAL-ENGINEERING
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矽化鉬與砷化鎵之消特基能障系統在本文裡有詳細的討論,其與矽化鉬薄膜的結構和
介面的特性有相關,二矽化鉬比其他種矽含量組成在高溫時較為穩定,它可以在 800
℃退火之後仍保有很好的電性,並且此種消特基二極體的特性並不受矽化鉬薄膜的結
構是單晶或是非晶體而影響。
我們也使用DLTS來作介面缺陷的分析,發現在介面中有四個電子捕捉,其中兩個是晶
片原有的,另兩個是熱處理造成的,這四個電子捕捉隨退火處理的溫度升高而濃度加
增,並對電性造成退化的影響。
最後,我們得到的結論是矽化鉬與砷化鎵系統能保有很好的消特基二極體特性,而且
可以用來作自動對準的金屬半場效電晶體。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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