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研究生:吳世全
研究生(外文):WU, SHI-GUAN
論文名稱:含鈦剛玉單晶之生長
論文名稱(外文):Single crystal growth of Ti-doped sapphire
指導教授:許樹恩許樹恩引用關係陳鈞陳鈞引用關係
指導教授(外文):XU, SHU-ENCHEN, JUN
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣大學
系所名稱:材料科學工程研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1986
畢業學年度:74
語文別:中文
中文關鍵詞:氧化物晶體剛玉單晶
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由於近十幾年來科技突飛猛進,性質優異的氧化物晶體,無論在電子、陶瓷或光學工
業上,均被負以厚望。
因此本實驗目的,就是利用氧化鋁一剛玉的特性,作為摻雜鈦原子雷射材料的主晶體
;並希望建立一套自紅寶石以來,再次採用氧化鋁為表晶體的固態雷射,而且具有波
長調變特性。
而實驗的資料係來自美國麻省理工學院林肯實驗室和我國方面,在鈦摻雜剛玉雷射的
研究發展,和一些晶體成長方面的文獻。
實驗進行方法之運用柴氏拉晶,從容融的粉末中,以一晶種做導引拉鈦摻雜剛玉的單
晶。然後對其物理、化學、機械、光學等性質,做適度的分析了解。
結果:所拉晶體尺寸大約6
公分長,三公分直徑的圓柱體,切片之後呈分紅色透明狀,有些氧泡和缺陷存在。鈦
原子含量—400ppm,密度—3.976g/cm3,硬度—維克斯(Vc)2000∼2200,折射率(
λ射波長589.3mm)—NE=1.763,NO=1.768 ,吸收範圍400-600mm ,尖峰480nm ,
螢光帶—254nm 之激發300-640尖峰405nm,313nm激發370-600nm尖峰455nm激發570-8
70nm尖峰698nm,532nm激發600-900nm尖峰690nm。

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