本論文的主要目的是用分子束磊晶成長法（MBE ）研製量子井基極電晶體（Quantum
Well Base Transistor QWBT ）。
首先，先把本實驗室MBE 系統略作介紹並將熱電子元件（hot electron devices）作
一簡單回顧，從回顧中可知Q ‧W ‧B ‧T 之所以優於其他熱電子元件的原因，這也
就是本實驗室選擇Q ‧W ‧B ‧T 作為熱電子元件發展方向的原因。此外，本文也研
究三角形障壁（triangle barrier）及鋸齒形障壁（sawtooth shaped barrier ）的
電特性，基於這些知識及準確的蝕刻率（etch rates）可以成功地製作出Q ‧W ‧B
‧T 從HP４１４０的測試中可知最高的共基極電流增益（common base current gain
）是０‧９９－這是目前為止最高的熱電子元件電流增益。
在元件製作上，本文由於使用測試模型（test pattern）使蝕刻（etch）位置可從電
流－電壓特性精確判斷出來，因而使成功率大增。此外，本文比較了三種製作Q ‧W
‧B ‧T 的方法，發覺「修飾的V 型槽技術」（modified V－groove technique）是
最佳製作方法。
最後，將Q ‧W ‧B ‧T 作一理論上的推導並對未來發展及改良方向作一展望及建議
。
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