本論文以氫化非晶矽、碳化矽研製兩種非晶矽∕碳化矽超晶格光電晶體，其結構分別
為玻璃基皮∕負（非晶矽）∕本（非晶矽∕碳化矽超晶格）‧本（非晶矽）∕正‧本
‧負（非晶碳化矽）∕鋁〔型一〕，及玻璃基皮∕負（非晶矽）∕本，非晶矽∕碳化
矽超晶格）∕正‧本‧負（非晶矽）∕鋁〔型二〕。
這兩種結構光電晶體的工作原理如下：由光入射所產生之電洞，因電場作用被聚集在
基極，導致在基極的能量障壁下降，因此引發大量的電子由射極越過基極能量障壁，
當電子再穿過非晶矽∕碳化矽超晶格層時，由於超晶格層產生之累增效應，產生裀大
量的電洞及電子，集極接收到大量的電子，因此光電晶體的光增益，提高不少。
本文中將探討光電晶體的三個重要參數：光增益、光響應速度及頻譜響應，更將比較
各種成長條件及不同結構的光電晶體之光增益，以期找出最佳光增益成長參數。
經由有系統的測量及計算，可以找出此兩種光電晶體的光增益為２８７〔型二〕，及
１７８〔型一〕。型一之光電晶體可以工作在偏壓大於２０伏特之上，在非連續發光
二極體照射下，其響應速度為４‧１微秒。型二之光電晶體表現了極高的光響應電流
，在５微瓦的氦氖雷射照射下，可以得到大於２亳安培的光電流，因此它可以應用在
低功率光檢測系統上，兩種型態光電晶體之頻譜響應函蓋了整個可見光波長，因此應
用在可見光之檢測上極具價值，而且具有相當高的控制性。
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