CdTe多晶態厚膜係由網籐印刷法製成。印製在ＡｌＯ基板上的CdTe膜，結構上呈
多孔性，電阻系數偏高。印製在CdS 陶瓷基板上的CdTe膜，結構頗為緻密，導電性良
好。經測試得知CdTe膜均為P 型半導體，膜厚約15μm 。14°K 的光激光譜實驗，顯
示該膜在７７９０?處有一強烈的發光尖峰，是為edge emission 。
將CdTe印製在Cds 上並加上電極可製成一太陽電池。Cds 在此為基板兼n 型半導體層
，其靠陶瓷燒結法，產生S 空缺而有高導電性。所製成之太陽電池，以６０mW∕㎝
之光照射時，產生的光電壓為０‧６４V ，光電流為６‧２５mA∕㎝，能量較換效
率為２‧５％，從順向J－V曲線可知其電流傳輸為穿透複合模型。從C－V測試，可求
出雜質濃度梯度為５‧２８×１０㎝空乏層寬為０‧６２μm ，而接面結構為
P ‧CdTe－（n或i）。CdTe－n ‧CdS ，而i ‧CdTe寬約為０‧５３μm 。印刷法所
製之CdTe∕CdS 接合面為線性漸變埋入同質接合面，真正產生光電效應的介面乃位
CdTe之中。
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