鈦酸鋇材料以其高介電性及正溫度電阻係數（PTCR）性質，被廣泛運用於電子陶瓷
元件。藉草酸鹽化合物沉殿合成草酸鈦氧基鋇，再經由燒解熱，可得高純度、超
微粒、符合化學計之鈦酸鋇粉末原料。
草酸鈦氧基鋇之晶形與石膏相似，屬於單斜晶系，且有２／m 對稱性，晶胞常數a
＝１４．９５４?、b ＝１９．３３２?、c ＝１３．９４７?、B ＝１０６．４
３，單位晶胞含數Z ＝１２，理論密度２．３１g／cm ，布位維格子屬於
Primitive。 在低溫（∼１００℃）時此晶體即進行脫結晶水現象，因此造成燒
時熱解失重偏低現象。
草酸鈦氧基鋇經燒後化合成鈦酸鋇，其粒徑隨燒溫度之升高而增大，於７００
℃燒時所得之粒徑為５０nm。草酸鹽化合物沉殿法合成草酸鈦氧基鋇，其產率
隨合成溫度之降低而提高。於４０℃合成之草酸鈦氧基鋇，仍符合化學計量之要求
（依K．Kadaka ，１９８２）。
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