金氧互補半導體技術是未來超大型積體電路（VLSI）製作的主流，傳統上的Ｎ^+複晶
矽閘金氧互補半導體技術在次微米通道時，N 型半導體有嚴重的熱電子效應造成元件
特性退化及可靠性問題，另外電子遷移也顯著降低，而P 型半導體亦有短通道效應造
成元件提早崩潰及漏電流現象，採用Ｐ^+複晶矽閘金氧互補半導體技術可以克服既有
問題，但寄生的是N 型半導體會有短通道效應及P 型半導體的熱電洞效應。
此篇論文，說明採用Ｐ^+複晶矽閘金氧互補半導體，在N 型半導體方面由於砷的低擴
散係數，在製程上仍可以輕易得到有效通道為０‧八微米的元件而P 型半導體由於電
洞高能障及低的平均自由徑關係，熱電洞效應在有效通道在０‧六微米時仍然可以忽
略而不致造成可靠性問題，此研究並比較四種元件的特性分析，以便在未來超大型積
體電路技術選擇上有較好參考數據。
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