本文用穿透式電子顯微鏡（TEM ），X 光繞射儀（XRD ），四點探針儀（Four point
probe ），來做鎢、鉬、鈦蒸鍍在矽單晶基板（Substrate ）的界面反應。
鎢、鉬、鈦用電子槍蒸鍍在（１００），（１１１），（１１１）的加熱矽單晶基板
上，另外，鉬、鈦上面蒸鍍一層非晶型矽（Amorphous Silicon ），做５００℃至
１１００℃不同溫度的熱處理。
結果發現鎢矽化合物，鉬砍化合物，鈦矽化合物與矽基板有單晶成長（Epitaxial
Growth）結晶關係。
四角晶系（Tetragonal）鎢矽化合物：〔１００〕ＷＳｉ2 ／／〔００１〕Ｓｉ，
〔１１０〕ＷＳｉ2 ／／〔００１〕Ｓｉ
六角晶系（Hexagonal ）鎢矽化合物：〔２４２３〕ＷＳｉ2／／ 〔００１〕Ｓｉ
四角晶系鉬矽化合物：〔３３１〕ＭｏＳｉ2 ／／〔０１０〕ＭｏＳｉ2 ／／〔
２３３〕Ｓｉ，〔１１０〕ＭｏＳｉ2 ／／〔２３３〕Ｓｉ
正交晶系（Orthorhombic）鈦系化合物：〔１２１〕ＴｉＳｉ2 ／／〔１２２〕Ｓｉ
，〔１００〕ＴｉＳｉ2 ／／〔１１１〕Ｓｉ，〔２１１〕ＴｉＳｉ2 ／／〔００１
〕Ｓｉ，〔３１０〕ＴｉＳｉ2 ／／〔１１２〕Ｓｉ
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