研究一系列菲及胺類在不同溶劑中（如乙、NH－二甲基甲醯胺、環己烷），自由能
變化△G 對電子轉移消光速率kq之影響。並與Marcus電子轉移理論比較。
在乙溶劑中，△G 愈負，kq愈大，而當△G ≦-15kcol/mole，kq為擴散控制速
率。而在N.N 二甲基申醯胺中，在△G ≦-35kcol/mole，kq有略為下降的傾向，而
在環已烷溶劑，在高放熱區域，△G ≦-20kcol/mole時，亦發現反轉區。
利用瞬間光導電法可知當溶劑的介電常數愈大，溫度愈高，則離子產率愈高。且當授
子的氧化電位愈低或為激發態，可造成長距離的電子轉移（約19?），而且溶劑極性
愈大，則平均電子轉移距離愈大。
由高階電子轉移理論可知：當電子轉移速率為活化能控制時，kq主要是一階電子轉移
速率貢獻，而在高放熱區域，kq主要是高階層電子轉移速率貢獻。且溶劑極性大，授
子游離能低等可形成長距離電子轉移。
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