本論文的目的在研究矽烷的摻雜特性和在不同指向矽基板上成長砷化鎵磊晶。 矽烷的摻雜濃度受溫度的影響很大,在攝氏600度以上,摻雜濃度隨溫度升高而升 高,在600度以下,隨溫度降低而升高,在400至450度,載體由電子變為電 洞。此一現象可由”二種物質摻入模式”解釋。矽摻雜物的兩性特徵,在本實驗中, 首次被發現。當砷烷流量和成長溫度夠低時,可成長P 型的砷化鎵磊晶。在600℃ 時,載體濃度隨矽烷流量增加,而矽烷的摻雜會降低砷化鎵的成長速率。 在矽基板成長砷化鎵的方法是”二次成長法”先在400℃以下,成長一層薄的緩衝 層,然後提高成長溫度(>600℃)成長第二層,對於不同指向矽基板而言,緩衝 層均很平、很亮,但是受到很大的應變,第二層的晶體品質,隨厚度增加而變好,如 鏡般的表面可由”多次成長法”獲得。
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