本論文的研究目的在於研究具有金屬∕氧化鉭∕矽，或金屬∕氧化鉭∕氧化矽∕矽結
構電容器的電特性。利用橢圓儀量測氧化層的厚度和光學常數，使用電流一電壓曲線
和高頻電容一電壓法來研究氧化層的電特性。
在實驗中發現，順時鐘C－V的礒滯現象是由於氧化鉭層具有太大的漏電流所致。而電
容一電壓曲線的礒滯行視掃描的回轉電壓，停留時間和掃描速率而定。根據這些實驗
結果，提出一個漏電流模式來解釋這些現象，發現可以把實驗結果解釋得很好。
另外，並發現經過退火處理後，漏電流急劇增加，而且氧化層電容值逐漸減小。對金
屬〞鉭〞而言，不同的的氧化環境下，漏電流的大小也不一樣。發現在氧氣和氮氣的
環境下所氧化形成的氧化鉭其漏電流比在只有氧氣環境下所氧化形成的氧化鉭的漏電
流小很多。
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