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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:鄭明哲
研究生(外文):Zheng, Ming-Zhe
論文名稱:鋁/氧化鉭/氧化矽/矽(P)結構電容器的順時鐘C-V的磁滯現象
論文名稱(外文):The clockwise C-V hysteresis phenomena of A1/Ta2 O5/SiO2/Si(P) capacitors
指導教授:胡振國胡振國引用關係
指導教授(外文):Hu, Zhen-Guo
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1987
畢業學年度:75
語文別:中文
中文關鍵詞:氧化鉭氧化矽結構電容器順時鐘C-V磁滯現象金屬電機工程
外文關鍵詞:METALELECTRICAL-ENGINEERING
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本論文的研究目的在於研究具有金屬∕氧化鉭∕矽,或金屬∕氧化鉭∕氧化矽∕矽結
構電容器的電特性。利用橢圓儀量測氧化層的厚度和光學常數,使用電流一電壓曲線
和高頻電容一電壓法來研究氧化層的電特性。
在實驗中發現,順時鐘C-V的礒滯現象是由於氧化鉭層具有太大的漏電流所致。而電
容一電壓曲線的礒滯行視掃描的回轉電壓,停留時間和掃描速率而定。根據這些實驗
結果,提出一個漏電流模式來解釋這些現象,發現可以把實驗結果解釋得很好。
另外,並發現經過退火處理後,漏電流急劇增加,而且氧化層電容值逐漸減小。對金
屬〞鉭〞而言,不同的的氧化環境下,漏電流的大小也不一樣。發現在氧氣和氮氣的
環境下所氧化形成的氧化鉭其漏電流比在只有氧氣環境下所氧化形成的氧化鉭的漏電
流小很多。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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