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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:陳平漢
研究生(外文):CHEN, PING-HAN
論文名稱:銻化銦液相磊晶之研究
指導教授:劉重慶
指導教授(外文):LIU, CHONG-GIN
學位類別:碩士
校院名稱:中正理工學院
系所名稱:電子工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1988
畢業學年度:76
語文別:中文
論文頁數:117
中文關鍵詞:銻化銦液相磊晶溶液磊晶樹狀化合物
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本研究係利用〔111〕方向InSb晶片作液相磊晶研究,採用類似一副一副規則溶液
模型以了解In-Sb溶液在低溫時的溶解度曲線,參考實驗結果修正此溶液的8個變數
如下:A1=-10051.9374。A2=105.0605。A3=-14.011
1。B1=-1206663.3879。B2=11660.3280。B3=-150
8.2570。C1=-74959.4737。C2=129.0223。
經本次成長InSb磊晶層厚度的實驗,可把Sb在In溶液中的前指數因子更正為8900
0000μ㎡/sec 激發能量更正為0.64電子狀。
InSb在CdTe基底上成長非常快速,且界面有樹狀合物存在。經電子微量分析此樹狀化
合物,主要成份為Te,Cd,In三者,而幾乎沒Sb,有Te且在InSb磊晶層中含量很高,
而使InSb/CdTe作霍爾測量無法量出InSb磊晶層內的雜質濃度。
〔111〕方向InSb晶片磊晶會產生所謂〞面的效應〞致使細脈成長明顯,且InSb磊
晶層所含雜質濃度分佈亦不很均均。
Au/InSb(n+)蕭基元件,可用來測量InSb磊晶層所含雜質濃度,得知大部份磊晶
層內載子濃度約為10cm左右,有些區域則會低到10cm以下
。當磊晶層離質濃度在10cm以下時,其蕭基元件之二極體因子在1.0
到1.5之間。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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