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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:裴國偉
研究生(外文):GEI, GUO-WEI
論文名稱:碲化汞鎘等溫薄膜生長時之汞壓效應分析
指導教授:薛乾昌
指導教授(外文):XUE, GIAN-CHANG
學位類別:碩士
校院名稱:中正理工學院
系所名稱:應用物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1988
畢業學年度:76
語文別:中文
論文頁數:40
中文關鍵詞:碲化汞鎘薄膜汞壓波滋曼-馬它諾法朗吉-庫他法聯合牛頓法射擊法
外文關鍵詞:MCTBOLTZMAN-MATANO-METHODRUNGE-KUTTA'S-METHODNEWTON'S-METHODSHOOTING-METHOD
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本文研究的目的,乃利用理論分析的方法,與一些實驗所得結果相互比較,藉以研究
碲化汞鎘(MCT )等溫氣相薄膜層生長(Isothermal Vapor Phase Epitaxy,ISOVPE
)時,成長空間中附加的額外汞蒸氣壓對薄膜的表面組成和厚度的影響,以及合金中
相互擴散的機構。
利用波茲曼-馬它諾法(Boltzman-Matano Method ) 計算擴散係數及利用四階的朗
吉-庫他法Runge-Kutta's Method),聯合牛頓(Newton's Method )法和射擊法(
shooting method) 來做數值分析,其結果顯示波茲曼-馬它諾法所求得的擴散係收
較不精確,且以其值代入數值分析法與實際實驗數據不合;而以四階朗吉-庫他法所
獲得的碲化汞鎘的剖面組成分佈與實驗結果相當符合。
分析發現擴散係數不僅組成濃度相關,且與額外汞壓有關,擴散係數與薄膜厚度,皆
隨汞蒸氣壓的增加而指數遞減。
D(x,P)=178exp(-9x-0.04P)(u㎡/hr)在550℃
D(x,P)=1150exp(-7x-0.10P)(u㎡/hr)在660℃
但是薄膜表面的組成濃度,欲隨汞蒸氣壓的增加而線性遞增。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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