本文研究的目的,乃利用理論分析的方法,與一些實驗所得結果相互比較,藉以研究 碲化汞鎘(MCT )等溫氣相薄膜層生長(Isothermal Vapor Phase Epitaxy,ISOVPE )時,成長空間中附加的額外汞蒸氣壓對薄膜的表面組成和厚度的影響,以及合金中 相互擴散的機構。 利用波茲曼-馬它諾法(Boltzman-Matano Method ) 計算擴散係數及利用四階的朗 吉-庫他法Runge-Kutta's Method),聯合牛頓(Newton's Method )法和射擊法( shooting method) 來做數值分析,其結果顯示波茲曼-馬它諾法所求得的擴散係收 較不精確,且以其值代入數值分析法與實際實驗數據不合;而以四階朗吉-庫他法所 獲得的碲化汞鎘的剖面組成分佈與實驗結果相當符合。 分析發現擴散係數不僅組成濃度相關,且與額外汞壓有關,擴散係數與薄膜厚度,皆 隨汞蒸氣壓的增加而指數遞減。 D(x,P)=178exp(-9x-0.04P)(u㎡/hr)在550℃ D(x,P)=1150exp(-7x-0.10P)(u㎡/hr)在660℃ 但是薄膜表面的組成濃度,欲隨汞蒸氣壓的增加而線性遞增。
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