臺灣博碩士論文加值系統

於高溫退火過程中，非晶形矽：氫薄膜由非晶相變至多晶之現象，有助於了解此薄膜
內之非晶結構特性。吾人並發現高溫恆溫（５００°Ｃ）退火量測電導值適於解釋此
相變化過程；而由霍氏紅外光譜（FTIR）亦可了解相變過程中氫含量的擴散情形，以
及薄膜中的矽：氫鍵結（（Si-H） ）的轉變，配合電子自旋共振光譜（ESR ），吾
人更可詳細了解氫外擴散、核凝結晶的過程，由此對相變化有更進一步的認識。