應用汞元素材料位於較低溫（３００℃）之合成溶質擴散法（Synthesis，Solute Di
ffusion Method簡稱S.S.D 法）成長碲化汞單晶，可避色汞元素材料之高蒸氣壓產生
。並且由於合成溶質擴散法之成長溫度約為４５０℃，較溶融態成長法之成長溫度降
低約２５０℃，故可得到低雜質濃度之諦化汞單晶。
合成溶質擴散法所成長之碲化汞晶體，經由霍爾效應測量得知在７７°Ｋ時其導電型
式為ｎ型，載子移動率為１９６９ｃｍＶｓｅｃ，載子濃度為１．６７×
，其中載１０ｃｍ子移動率較溶融態成長法與移動右熱器法稍遜，而載子濃
度較二者為佳。除此之外，在改變各種碲化汞晶體之成長溫度，降溫速率以及成長時
間等條件下，得到汞元素在碲化汞晶體中重量百分比含量之變化。
由掃瞄式電子顯微鏡可得到不同成長溫度下，碲化汞晶體表面之不同型態以及由ｘ光
射線繞射測試和勞厄照相圖可知由合成溶質擴散法於未加晶種時成長之碲化汞仍有較
大晶粒。並且將碲化汞晶體在具有５％溴水之甲醇溶液中腐蝕後，可在電子顯微鏡下
發現三角形之腐蝕陷坑。
在本文中並探討碲化汞單晶在經過低溫含汞補償之熱處理後，碲化汞晶體之ｘ光繞射
圖樣、載子型式、載子移動率及載子濃度之改變。亦曾使用合成溶質擴散法成長汞鎘
碲三元化合物並探討成長後之成份分析。