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研究生:楊誌欽
研究生(外文):YANG, ZHI-GIN
論文名稱:應用合成溶質擴散法成長碲化汞及汞鎘碲單晶之研究
指導教授:熊慎幹
指導教授(外文):XIONG, SHEN-GAN
學位類別:碩士
校院名稱:中原大學
系所名稱:電子工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:76
語文別:中文
論文頁數:71
中文關鍵詞:合成溶質擴散法碲化汞汞鎘碲晶體汞元素
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應用汞元素材料位於較低溫(300℃)之合成溶質擴散法(Synthesis,Solute Di
ffusion Method簡稱S.S.D 法)成長碲化汞單晶,可避色汞元素材料之高蒸氣壓產生
。並且由於合成溶質擴散法之成長溫度約為450℃,較溶融態成長法之成長溫度降
低約250℃,故可得到低雜質濃度之諦化汞單晶。
合成溶質擴散法所成長之碲化汞晶體,經由霍爾效應測量得知在77°K時其導電型
式為n型,載子移動率為1969cmVsec,載子濃度為1.67×
,其中載10cm子移動率較溶融態成長法與移動右熱器法稍遜,而載子濃
度較二者為佳。除此之外,在改變各種碲化汞晶體之成長溫度,降溫速率以及成長時
間等條件下,得到汞元素在碲化汞晶體中重量百分比含量之變化。
由掃瞄式電子顯微鏡可得到不同成長溫度下,碲化汞晶體表面之不同型態以及由x光
射線繞射測試和勞厄照相圖可知由合成溶質擴散法於未加晶種時成長之碲化汞仍有較
大晶粒。並且將碲化汞晶體在具有5%溴水之甲醇溶液中腐蝕後,可在電子顯微鏡下
發現三角形之腐蝕陷坑。
在本文中並探討碲化汞單晶在經過低溫含汞補償之熱處理後,碲化汞晶體之x光繞射
圖樣、載子型式、載子移動率及載子濃度之改變。亦曾使用合成溶質擴散法成長汞鎘
碲三元化合物並探討成長後之成份分析。

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