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紫外光偵檢器是指能夠偵測光波長小於４００nM的光敏二極體。此種偵檢器的用途極
為廣泛，如化學分析，光罩對準等，並且可應用於飛彈的導航與目標追蹤。有鑑於此
，我們選擇磷化鋁鎵此種間接能隙的三元化合物，當其化學組由GaP 轉變為AIP 時，
其間接能隙由２．２７eV昇至２．４５eV，但是其最低直接光躍遷所需的能量卻是由
２．８eV昇至３．６eV〔１，２〕。由於當Ｇａx 的莫耳比ｘ∼０．５時，這種
直接光躍遷能量可高至可見光與紫外光的分界點（３．１eV），並且此種半導材料對
於直接躍遷光譜的吸收係數要遠高於間接躍遷的吸收係數，所以磷化鋁鎵極適合做為
紫外光偵檢器〔３〕。
鑑於面障型偵檢器的製作程序較為簡便，並且反應速率也較快。因此吾人應用液相磊
晶方法，成長Ｎ－型磷化鋁鎵晶膜於Ｎ－型（１１１）磷化鎵之基板上，然後在磊晶
膜與基板上分別蒸鍍鈀及金矽合金，形成蕭特基接觸與歐姆接觸，軏成面障型磷化鋁
鎵紫外光偵檢器的製作。
一般光敏二極體若不經抗反射鍍膜，則大部份入射光將會被反射，無法為光敏二極體
所吸收。因此本文將應用五氧化二鉭這種具有高化學穩定性，以及在可見光區及紫外
光區吸收係收很低的材料，做為紫外光偵檢器的抗反射膜鍍外，以期提高偵檢器的偵
檢效率。
做為歐姆接觸鍍外時，則以６１０℃燒結１０分鐘的接觸特性最佳。並且１HCl＋1HN
O ＋1 CHCOOH的腐蝕溶液，對於磷化鋁鎵除了可得到mirror-like surface 的腐
蝕效果，同時經過此種溶液腐蝕後，其崩潰電壓與暗電流均有顯著改善。Ｐｄ／Ｇａ
x ＡｌｘＰ之障壁高度並不隨著化學組成的不同而有顯著的變化，大約皆位於１
．３eV附近。該光敏二極體在９０nM五氧化二鉭的抗反射鍍膜後，其量子效率為３９
％，同時在１０Ｖ逆向偏壓下的暗電流僅有０．８３５nA。
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