AlxGa(1-x)Sb半導體其能隙隨ｘ值不同而從０．７eV改變至１．４eV，此種材料在光
電元件上之應用有極大的潛力。
本文討論以液相磊晶（LPE ）技術中的超冷降溫法於銻化鎵基片上成長三種不同組成
的AlxGa(1-x)Sb，利用SEM （Scanning Electron Mircoscopy），EDAX（Energy Dis
persion Analysis X-ray），測量磊晶層的特性並得到成長過程的最佳溫度曲線。Ｘ
＝０．１２的樣品表面經１：１的鹽酸和甲醇處理得可得如鏡面般的平坦，從剖面的
SEM 相片中得知鋁之莫耳分率愈高時成長速率愈慢。經XPS（X-ray Photolectron Sp
ectroscopy）的測量結果指出磊晶的表面是以氧化狀態存在。由PL（Photoluminesce
nce） 的測試得知在不同組成下能隙的大小分別為Ｘ＝０．０６時Ｅg ＝０．８５eV
，Ｘ＝１．１２４，Ｅg ＝０．９０８eV；Ｘ＝０．１２８，Ｅg ＝０．９１２eV；
Ｘ＝０．２４２，Ｅg ＝１．０３１eV，銻化鎵的Ｅg ＝０．８eV。