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研究生:黃崇桂
研究生(外文):HUANG, CHONG-GUI
論文名稱:以液相磊晶成長ALXGA(1-X)SB及其表面特性
論文名稱(外文):Liquid-phase-epitaxial(LPE) growth of Alx Ga(1-x)Sb and surface characterizations
指導教授:白桂芳
指導教授(外文):BAI, GUI-FANG
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1988
畢業學年度:76
語文別:中文
論文頁數:60
中文關鍵詞:液相磊晶銻化鎵磊晶層半導體光電
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AlxGa(1-x)Sb半導體其能隙隨x值不同而從0.7eV改變至1.4eV,此種材料在光
電元件上之應用有極大的潛力。
本文討論以液相磊晶(LPE )技術中的超冷降溫法於銻化鎵基片上成長三種不同組成
的AlxGa(1-x)Sb,利用SEM (Scanning Electron Mircoscopy),EDAX(Energy Dis
persion Analysis X-ray),測量磊晶層的特性並得到成長過程的最佳溫度曲線。X
=0.12的樣品表面經1:1的鹽酸和甲醇處理得可得如鏡面般的平坦,從剖面的
SEM 相片中得知鋁之莫耳分率愈高時成長速率愈慢。經XPS(X-ray Photolectron Sp
ectroscopy)的測量結果指出磊晶的表面是以氧化狀態存在。由PL(Photoluminesce
nce) 的測試得知在不同組成下能隙的大小分別為X=0.06時Eg =0.85eV
,X=1.124,Eg =0.908eV;X=0.128,Eg =0.912eV;
X=0.242,Eg =1.031eV,銻化鎵的Eg =0.8eV。

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