本實驗乃利用液態磊晶技術來成長InP／InGaAsP雙異質接面電晶體。在本實驗中，用
了二種不同的結構，來觀察基極一極集的位障尖峰，對共射極的電流增益的影響。
InP／InGaAsP／InP 雙異直接面電晶，在小壓時其電流增益有隨電壓的增加而加大的
現象。如在InGaAsP 基極和InP 集極間、長一層很薄，但和基極同材料的InGaAsP 磊
晶層，將得到較好的電流一電壓特性。
InP／InGaAsP／InGaAsP／InP電晶體，其共射極電流增益最大值為２０而InP／InGa-
AsP／InP電晶體，其共射極電流增益為４。
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