近年來，有機金屬汽相磊晶法（MOCVD） 已漸成為Ⅲ－Ⅴ及Ⅱ－Ⅳ族化合物半導體界
中，極重要、優良之技術之一。而採低壓式反應腔系統者，更具有降低成長溫度、減
輕自動摻雜（Autodoping）、均勻性佳、流速快、成長速率降低等優點，而成為學術
研究界多數採用之系統。
本文即採用低壓系統，而以三甲基鋁（TMA）、三乙基鎵（TEG） 及砷化氫（AsH）
作為鋁、鎵及砷之來源；同時，採用二乙基鋅（DEZ） 作為正型摻雜質之來源，配合
水冷水平式低壓反應腔及電腦自動氣體切換控制技術，經化學反應，而成長非摻雜及
正型摻雜晶膜。磊晶膜之各種特性，如：表面形態、固態組成、摻雜湛度及電特性等
，以光學顯微鏡、掃瞄式電子顯微鏡、霍爾效應測量等方法來分析以求得良好品質，
進而應用於元件製造上。
根據本實驗室已建立之砷化鎵磊晶膜之成長條件，所成長之砷化鋁鎵磊晶膜，已被用
來與砷化鎵構成異質接面，而應用於光陰極（photocathode）結構和似金－絕－半（
MIS－Like） 結構上，進而研製場效電晶體等元件。
所研製之元件及結構特性，由電子顯微探針（EPMA）、電流－電壓（I－V）測量、電
容－電壓（C－V）測量等方法作研究分析。而由結果得知，以非摻雜、高固態組成之
砷化鋁鎵薄膜，覆於負型砷化鎵上作為絕緣層，所研製之場效電晶體閘極和汲極間反
向崩潰電壓可大為提高至２０V 以上，如再配合提昇電流輸出準位，在功率之應用上
，將頗具潛力。