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研究生:雷明達
研究生(外文):LEI, MING-DA
論文名稱:以低壓有機金屬汽相磊晶法成長砷化鋁鎵及其在元件上應用
論文名稱(外文):Epitaxial growth of Al Ga^^ as by low pressure MOCVD and its device applications
指導教授:張俊彥
指導教授(外文):ZHANG, JUN-YAN
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1988
畢業學年度:76
語文別:中文
中文關鍵詞:低壓有機金屬汽相磊晶金屬汽相磊晶磊晶砷化鋁砷化鎵元件
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近年來,有機金屬汽相磊晶法(MOCVD) 已漸成為Ⅲ-Ⅴ及Ⅱ-Ⅳ族化合物半導體界
中,極重要、優良之技術之一。而採低壓式反應腔系統者,更具有降低成長溫度、減
輕自動摻雜(Autodoping)、均勻性佳、流速快、成長速率降低等優點,而成為學術
研究界多數採用之系統。
本文即採用低壓系統,而以三甲基鋁(TMA)、三乙基鎵(TEG) 及砷化氫(AsH)
作為鋁、鎵及砷之來源;同時,採用二乙基鋅(DEZ) 作為正型摻雜質之來源,配合
水冷水平式低壓反應腔及電腦自動氣體切換控制技術,經化學反應,而成長非摻雜及
正型摻雜晶膜。磊晶膜之各種特性,如:表面形態、固態組成、摻雜湛度及電特性等
,以光學顯微鏡、掃瞄式電子顯微鏡、霍爾效應測量等方法來分析以求得良好品質,
進而應用於元件製造上。
根據本實驗室已建立之砷化鎵磊晶膜之成長條件,所成長之砷化鋁鎵磊晶膜,已被用
來與砷化鎵構成異質接面,而應用於光陰極(photocathode)結構和似金-絕-半(
MIS-Like) 結構上,進而研製場效電晶體等元件。
所研製之元件及結構特性,由電子顯微探針(EPMA)、電流-電壓(I-V)測量、電
容-電壓(C-V)測量等方法作研究分析。而由結果得知,以非摻雜、高固態組成之
砷化鋁鎵薄膜,覆於負型砷化鎵上作為絕緣層,所研製之場效電晶體閘極和汲極間反
向崩潰電壓可大為提高至20V 以上,如再配合提昇電流輸出準位,在功率之應用上
,將頗具潛力。

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