本文係採用低壓有機金屬汽相磊晶法成長磷化銦晶膜及其雜質摻雜特性之研究。用三
乙基銦（TEI） 及磷化氫（PH ） 為銦和磷的來源，而分別以矽烷及二乙基鋅為負型
、正型摻雜雜質的來源。磊晶膜之表面形態、成長速率、光和電之特性將以光學顯微
鏡、掃描式電子顯微鏡、霍爾效應及低溫的光激發頻譜來分析。
由實驗結果，未摻雜磷化銦磊晶膜的移動率在室溫可達３２００ｃ㎡／V－S。利用此
磊晶膜製成Au／n－InP蕭特基二極體，並加以分析。
矽摻雜之磷化銦晶膜，在室溫電子濃度可達４×１０cm，成長速率和矽烷之
莫耳分率無關，而在較高溫時，可得到較高的雜質摻雜效率。
對鋅的摻雜來說，成長速率隨著雜質的摻雜，而有加強的趨勢。摻雜效率隨著溫度的
增加而減低。
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