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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:莊賦祥
研究生(外文):ZHUNG, FU-XIANG
論文名稱:液相磊晶法成長銻化鋁鎵╱銻化鎵及其元件之研製
論文名稱(外文):Al Ca^^Sb/GaSb epitaxial growth by liquid phase epitaxy and the device fabrication
指導教授:蘇炎坤蘇炎坤引用關係
指導教授(外文):SU, YAN-KUN
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1988
畢業學年度:76
語文別:中文
中文關鍵詞:液相磊晶磊晶銻化鋁鎵銻化鎵元件
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以GaSb為主的化合物半導體材料,其相對之波長可由1.24μm(AlGaSb) 長達
4.3μm(InGaAsSb),在光纖通訊上具有極低的傳輸損失,因而漸引起研究之興
趣。
本實驗以液相磊晶技術成長GaSb及AlGaSb磊晶膜,尋求最佳之成長條件,舉凡:晶片
與材料之清洗,飽和溫度之決定,溶劑之烘烤時間及溫,成長時適當之過飽和溫度及
較佳之降溫速率等。並藉由電子顯微鏡,電子微探針,X-ray繞射及光激光譜來檢試
磊晶膜之表面特性,晶格匹配,組成及其未摻雜磊晶膜之品質。同時試驗適用之蝕刻
溶液並探討晶片之方向性。
實驗中得到成長時間與厚度之關係;由PL特性了解溶劑之烘烤溫度及時間對磊晶膜品
質之影響;同時了解Al在AlGaSb中之含量與材料能帶寬之關係。
研製金屬鋁與GaSb基皮接合之蕭基(Schottky)二極體,測量其電壓-電流的電壓-
電容特性,計算GaSb與金屬鋁之間的電子能障高度(約0.43eV),並計算出GaSb
基板之摻雜濃度。因GaSb基板之表面易於氧化,研製之蕭基(Schottky)二極體電壓
-電容特性,需經”過剩電容”之適當修正,以求得較準確之濃度值。GaSb材料當未
有半絕緣性基板,所以電壓-電容特性乃成為測量晶膜濃度之重要方法。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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