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研究生:呂定洲
研究生(外文):LU, DING-ZHOU
論文名稱:交流脈波工作下短通道金氧半元件之熱載子效應
論文名稱(外文):The hot-carrier effects of short channel MOS device under AC operations
指導教授:吳重雨
指導教授(外文):WU, CHONG-YU
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1988
畢業學年度:76
語文別:中文
論文頁數:52
中文關鍵詞:交流脈波短通道金氧半元件熱載子效應矽氫鍵三價矽原子電洞未鍵結鍵閘極電壓
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本文旨在研究短通道金氧半元件工作在交流脈波下時,熱載子如何使元件退化。
在成長氧化層時,氧氣中混有脫水之氯化氫,或以濕氧長氧化層時,在矽與氧化層間
有大量的矽氫鍵存在。當熱載子注入氧化層時,可能將此鍵打斷而形成三價矽原子及
氫原子。三價矽原子的未鍵結鍵是電洞的陷阱。此鍵能抓一個電洞或與氫原子重新鍵
結。抓住電洞的陷阱可吸引電子與之中和。在抓住電洞及中和過程中所釋放之能量。
會導致介面狀態或接受一似陷阱產生。
電晶體工作在交流脈波下時,大量的熱電子在高閘極電壓時注入氧化層,產生大量的
電洞陷阱。而當閘極電壓降低時,熱電洞注入氧化層,並且在三價矽原子重新與氫原
子鍵結前,陷在陷阱中,在下個週期注入之熱電子,中和被陷住之電洞。經此過程,
而導致電晶體嚴重的退化。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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