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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:王昭傑
研究生(外文):WANG, ZHAO-JIE
論文名稱:低溫研製(800℃以下)複晶矽薄膜電晶體之研究
論文名稱(外文):Study of poly-si thin film transistors fabricated below 800 C
指導教授:鄭晃忠鄭晃忠引用關係吳慶源
指導教授(外文):ZHENG, HUANG-ZHONGWU, GING-YUAN
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1988
畢業學年度:76
語文別:中文
論文頁數:92
中文關鍵詞:複晶矽薄膜電晶體薄膜電晶體低壓氣相沈積等效載子移動率介電層低溫製程臨界電壓
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薄膜電晶體已被製在用低壓氣相沈積的複晶矽上,不同的介電層結構如高溫成長不同
厚度組成的氧化層/氮化層,氮化氧化層,和低溫成長的氧化層/氮化層已被利用作
為薄膜電體之閘極介電層。氫原子值入複晶矽中也已被用來提升薄膜電晶體特性。經
由等效載子移動率,開/關電流比及臨界電壓的分析,我們發現一些有趣的現象。介
電層的厚度成為影響薄膜電晶體特性的重要因素之一,薄的介電層將會有良好的特性
。另外由於氮化層/氧化層能夠低溫形成和耐高電壓,且成長氮化矽不會破壞介面整
度,因此利用此氮化層/氧化層結構,我們可以在低溫(800℃)製程中得到相當
良好特性的薄膜電晶體。
薄膜電晶體的幾何效應將會影響開電流而改變開/關電流比,原子鈍化複晶矽界的缺
陷將會提高載子移動率和開/關電流比。雖然在我們實驗中,氮化氧並沒有氫原子鈍
化功能,但它能降低臨界電壓也可導致開/關電流之提升。
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