(3.227.235.183) 您好!臺灣時間:2021/04/13 08:12
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:林讚西
研究生(外文):LIN, ZAN-XI
論文名稱:具有佈植通道的短通道MOSFET電流-電壓模式
論文名稱(外文):A unified I-V model for short channel MOSFETs with implanted channel
指導教授:莊紹勳
指導教授(外文):ZHUANG, SHAO-XUN
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1988
畢業學年度:76
語文別:中文
論文頁數:65
中文關鍵詞:佈植通道短通道二次通道佈植參數擷取法
外文關鍵詞:MOSFET電流-電壓MOS 電晶體
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:289
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
隨著MOS 電晶體技術的進步,由於通道縮短產生的短通道效應與為了提高元件特性所
使用的二次通道佈植的影響,傳統的MOS 電晶體的電性模式已不敷應用於現代化電路
分析上,吾人必須建立新的模式才能滿足此一需求。
本論人提出一新的以製程為導向的MOS 電晶體電流-電壓模式,並建立一套新的模式
參數擷取法。本模式適用於具有佈植通道的短通道MOS 電晶體,其內容包括元件工作
在次臨界區,線性區及飽和區的電流-電壓公式,除此之外,其最大的特色在於所使
用的參數擷取法可適用於各種不同元件結構與佈植狀況的MOS 電晶體。
為了驗證模式的準性,吾人對一組具有二次通道佈植的元件做電性測試,其結果與模
式預測的結果相當合,證實了本模式的適用性。另一方面,由於本模式所使用的公
式皆呈相當簡單的形式,很容易被建立在SPICE2 中供做準確的電路模擬與分析的應
用。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
系統版面圖檔 系統版面圖檔