隨著MOS 電晶體技術的進步，由於通道縮短產生的短通道效應與為了提高元件特性所
使用的二次通道佈植的影響，傳統的MOS 電晶體的電性模式已不敷應用於現代化電路
分析上，吾人必須建立新的模式才能滿足此一需求。
本論人提出一新的以製程為導向的MOS 電晶體電流－電壓模式，並建立一套新的模式
參數擷取法。本模式適用於具有佈植通道的短通道MOS 電晶體，其內容包括元件工作
在次臨界區，線性區及飽和區的電流－電壓公式，除此之外，其最大的特色在於所使
用的參數擷取法可適用於各種不同元件結構與佈植狀況的MOS 電晶體。
為了驗證模式的準性，吾人對一組具有二次通道佈植的元件做電性測試，其結果與模
式預測的結果相當合，證實了本模式的適用性。另一方面，由於本模式所使用的公
式皆呈相當簡單的形式，很容易被建立在SPICE２ 中供做準確的電路模擬與分析的應
用。
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