本實驗是研究砷化鎵聲光調制器的製作與性質。其結構可分為大兩大部份，一是轉換
器，它是利用製作表面聲波元件的技術來完成其製作，製作其目的是將電能藉由一層
高品質的壓電材料氧化鋅薄膜轉換成聲波能。二是平面式波導管，其功用是在於能使
光波限制於其內傳導，然後使表面聲波耦合至光波導管與耦合進入之光波發生作用。
在製作砷化鎵聲光調制器的第一步是先在砷化鎵基板上以分子束磊晶法長上砷化／鎵
砷化鋁鎵薄膜作為平面式光波導管，然後在砷化鎵薄膜上以射頻反應式濺射法，用最
佳的濺射環境參數，長上高品質氧化鋅薄膜，在利用舉昇法將細微的交指式電極作在
氧化鋅薄膜上，這樣完就成了聲光調制器之製作。
本實驗發現在兩交指式電極距離為四毫米時聲波嵌入損失為６０dB，之所以有這麼大
的損失是因為聲波在經過砷化鎵時，會有很大的衰減所致。１．３um波長之InGaAsP
半導體雷射是本實驗所用的光源，以端射法和端接將光耦合到光波導管內，覯察聲波
與光波作用之情形。
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